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SiC粉末制作方式可以分为机械粉碎法,液相、气相合成法。 机械粉碎法还包括行星球磨机,砂磨机,气流法等。 液相合成法包含沉淀法,溶胶-凝胶法等。
2023年10月20日 碳化硅(SiC)具有更高热导率、高击穿场强等优点,适用于制作高温、高频、高功率器件,新能源汽车是未来第一大应用市场,2027年新能源汽车导电 ...
2023年5月21日 SiC产业链关键环节及工艺特点. SiC产业链关键环节. SiC器件产业链与传统半导体类似,一般分为单晶衬底、外延、芯片、封装、模组及应用环节。 SiC单晶衬底环节通常涉及到高纯碳化硅粉体制备、单晶
针对碳化硅单晶衬底加工技术,本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状,分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理,指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。. 1、背景与意义. 作为半导体产
17 小时之前 碳化硅(SiC)具有更高热导率、高击穿场强等优点,适用于制作高温、高频、高功率器件,新能源汽车是未来第一大应用市场,2027年新能源汽车导电型SiC功率器
2020年3月19日 国内外SiC分析虽然我国在整个产业链上已有所布局,但不得不直面的事实是,目前全球碳化硅市场基本被国外企业垄断。其中,尤以美国、欧洲、日本为大。美
碳化矽(英語: silicon carbide,carborundum ),化學式SiC,俗称金刚砂,宝石名称钻髓,为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物,碳化矽在大自然以莫桑石这种稀有的矿物的形
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